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Verfahren
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Anwendungen
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	(LS)2I - Liquid Silicon Infiltration of Laser Sintered Preforms Das (LS)2I-Verfahren ist die Verknüpfung der generativen Lasersinter-Technologie mit dem Verfahren der Flüssigsilicierung zur Herstellung komplex geformter reaktionsgebundener SiSiC-Prototypen. Die eigentliche Formgebung erfolgt dabei mittels Lasersinter-Technologie unter Verwendung eines äußerst feinkörnigen SiC-Pulverwerkstoffs. Der poröse Vorformling durchläuft nach speziellen Zwischenbehandlungsschritten im Flüssigsilicierverfahren die Werkstoffkonsolidierung zum entgültigen porenfreien SiSiC-Gefüge. Die entwickelte Werkstoff-/ Verfahrenskombination gestattet hierbei die einfache Umsetzung komplexer Geometrien mit Bauteilgrößen >150mm. Es stehen momentan zwei unterschiedliche Varianten zur Verfügung: P0A:    Höchste Maß- und Formtreue; 4-Punktbiegefestigkeit ~ 160MPa P1A: Gesteigerte Festigkeit ~ 190 - 200MPa